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一、大功率升壓電路

在大功率升壓電路中，各類電子元件發(fā)揮著關(guān)鍵作用：

電容部分：C1、C2、C5、C6、C8作為輸入與輸出穩(wěn)壓濾波電容，承擔(dān)著穩(wěn)定電壓與濾除紋波的重要任務(wù)，保障電路輸出的直流電壓平穩(wěn)可靠。C9為HVDD濾波電容，對HVDD電源進行濾波處理，減少電壓波動對電路的影響。C3的作用在于，HVDD經(jīng)過內(nèi)部穩(wěn)壓管到Vcc產(chǎn)生5V電壓，該電壓為內(nèi)部電路與驅(qū)動MOS提供電力支持，接入C3穩(wěn)壓電容，能夠?qū)@一過程中產(chǎn)生的電壓波動進行抑制，確保供電穩(wěn)定。C4、C10與R4構(gòu)成系統(tǒng)補償回路，直接影響LX方波的穩(wěn)定度以及瞬時響應(yīng)速度，對于維持電路輸出的穩(wěn)定與快速響應(yīng)負(fù)載變化起著至關(guān)重要的作用。

電阻部分：R1、R2為FB分壓電阻，其阻值大小決定了輸出電壓的高低，通過合理選值，可將輸出電壓設(shè)置在預(yù)期的水平。R3用于調(diào)整過電流保護點，改變其阻值能夠靈活地設(shè)定電路的過電流保護閾值，為電路提供可靠的過流保護功能。R10是EN到輸入上拉電阻，通過控制EN下拉地，可實現(xiàn)對IC的關(guān)閉操作，為電路的啟?？刂铺峁┝吮憬莸氖侄巍out為HVDD限流電阻，其阻值為1000Ω，起到限制HVDD輸出電流的作用，避免輸出電壓過高對IC造成損壞，為電路的正常運行提供保障。C12與R8組成突波吸收電路，主要用于降低LX開關(guān)切換瞬間產(chǎn)生的突波，保護電路免受突波干擾，確保電路的穩(wěn)定運行，該電路在設(shè)計中必不可少。

電感與二極管：L1是電感，具有儲能與濾波的雙重功能。電感值的大小對電感漣波有直接影響，電感值越大，漣波越??；反之，漣波則越大。在選擇電感時，需注意其是否適用于高頻操作環(huán)境，同時要關(guān)注電感的額定飽和電流值，確保電感在工作過程中不會因電流過大而飽和，進而影響電路性能。D1為肖特基二極管，當(dāng)LX截止時，D1導(dǎo)通，為電感提供放電回路，使電感能夠順利釋放儲存的能量，保證電路的正常工作。

二、大功率反相降壓升壓變換器電路

基于TL494的反相Buck-Boost轉(zhuǎn)換器是一種典型的反相降壓升壓變換器電路，其完整電路圖如下所示：

電路組成與工作原理：該電路主要由三部分構(gòu)成。第一部分為TL494PWM控制器，其作用是驅(qū)動MOSFET。TL494PWM控制器被配置為以100KHz的開關(guān)頻率進行切換，這一頻率適用于此類反相降壓升壓變換器的應(yīng)用場景，能夠確保電路的高效運行。

在電路設(shè)計中，雖然反相降壓升壓轉(zhuǎn)換器通常使用p溝道MOSFET作為開關(guān)，但p溝道MOSFET存在內(nèi)阻較大的缺點。以通用的IRF9540p溝道MOSFET為例，其內(nèi)阻為0.22Ω，而其互補的n溝道MOSFETIRF540的內(nèi)阻僅為0.077Ω，約為p溝道的三分之一。

鑒于此，為了提升電路性能，采用n溝道MOSFET來驅(qū)動電路，簡化后的電路圖如上圖右側(cè)所示，其優(yōu)勢在于利用n溝道MOSFET較低的內(nèi)阻，降低電路損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。

電路的控制與反饋機制：電路的最后一部分為差分放大器。差分放大器接收兩個電壓值，計算并放大這兩個電壓值之間的差值，放大后的電壓可從輸出引腳獲取。電阻R19和R20構(gòu)成分壓器，將輸出電壓進行分壓處理，然后將分壓后的電壓反饋至TL494IC的引腳1。TL494IC根據(jù)負(fù)載情況對PWM脈沖進行調(diào)節(jié)，從而實現(xiàn)對輸出電壓的穩(wěn)定控制，確保電路輸出電壓的穩(wěn)定性與動態(tài)響應(yīng)性能。