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  • 單相半橋逆變電路圖,工作原理介紹
    • 發(fā)布時間:2025-07-11 18:52:31
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    單相半橋逆變電路圖,工作原理介紹
    一、單相半橋逆變電路結(jié)構(gòu)
    單相半橋逆變電路以其簡潔的架構(gòu)在電力電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。基本設(shè)計由兩個晶閘管(T1和T2)和兩個反饋二極管(D1、D2)構(gòu)成。每個二極管和晶閘管與三線直流電源反并聯(lián),確保電源端提供平衡的直流電壓。這種配置不僅實現(xiàn)了高效的電能轉(zhuǎn)換,還具備一定的電路保護功能。
    負載(RL)連接在A點和B點之間,A點相對B點始終為正電位。電流方向定義為:從A到B為正,反之為負。
    單相半橋逆變電路圖
    二、工作原理
    (一)開關(guān)器件
    雖然晶閘管是傳統(tǒng)選擇,但在現(xiàn)代設(shè)計中,IGBT或功率MOSFET等全控型器件更常用。這些器件允許更精細的控制,提升電路性能。
    (二)門控信號
    晶閘管T1和T2分別受門控信號ig1和ig2控制。當柵極信號存在時,晶閘管導(dǎo)通;信號移除時,晶閘管在電流過零時換向。
    (三)RL負載特性
    由于感性負載特性,輸出電流波形與輸出電壓波形存在差異。輸出電流Io隨時間呈指數(shù)變化,且滯后于輸出電壓,相位差為:
    Φ=tan?¹(ωL/R)
    三、單相電壓型半橋逆變電路詳解
    (一)電路組成
    直流輸入電源:提供穩(wěn)定的直流電壓,是逆變電路的能量來源。
    全控型開關(guān)器件:通常采用IGBT或MOSFET,通過控制其通斷實現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換。
    負載:連接在逆變電路輸出端,可以是各種用電設(shè)備。
    電容器:在某些設(shè)計中,直流側(cè)串聯(lián)兩個電容器以穩(wěn)定直流電壓并確保電壓均衡。
    (二)工作原理
    開關(guān)狀態(tài)控制:通過交替控制兩個開關(guān)器件的通斷,使負載上的電流和電壓形成類似正弦波的波形。
    開關(guān)脈沖產(chǎn)生:當有源開關(guān)閉合時,形成陡峭的電流脈沖,導(dǎo)致負載電流和電壓逐漸上升。
    無源開關(guān)作用:當有源開關(guān)斷開時,負載電流通過無源開關(guān)(如二極管)續(xù)流,電壓迅速下降。
    單相半橋逆變電路圖
    四、單相電壓型半橋逆變電路優(yōu)缺點
    (一)優(yōu)點
    結(jié)構(gòu)簡單:相較于其他逆變電路,器件數(shù)量少,設(shè)計簡潔。
    控制方便:通過控制開關(guān)器件的通斷,易于實現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換。
    (二)缺點
    輸出電壓幅值限制:輸出交流電壓幅值僅為直流輸入電壓的一半(Um=Ud/2),限制了應(yīng)用范圍。
    電容器電壓均衡問題:需要精確控制兩個串聯(lián)電容器的電壓均衡,增加控制復(fù)雜性。
    變壓器利用率低:導(dǎo)致能量轉(zhuǎn)換效率較低。
    帶感性負載能力弱:感性負載易引起電流波形畸變,影響輸出電壓質(zhì)量。
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