MOS管柵極電流是在MOS管中，從柵極輸入端進入的電流。MOS柵極電流包括漏極電流（drain+current）和柵極漏極電流（gate-drain current）。
漏極電流是柵極電壓一定時，從源極到漏極的電流，用符號ID表示。漏極電流與柵極電壓、源極電壓和柵-源極電壓之間的關(guān)系由MOSFET的工作原理和電流-電壓特性決定。
柵極漏極電流是指由于MOSFET的表面污染或雜質(zhì)等原因，導(dǎo)致柵極表面和漏極之間形成的電流。在正常工作條件下，這種電流非常小，可以忽略不計。
MOS柵極電流在MOSFET的設(shè)計和應(yīng)用中具有重要意義，可用于分析MOSFET的靜態(tài)工作點和動態(tài)特性，并用于優(yōu)化MOSFET的性能。
MOS管柵極驅(qū)動電流計算
MOS管是電壓控制的，從理論上MOS管電流為零。但是半導(dǎo)體不是理想器件，不可避免的會存在一些寄生參數(shù)。 閱讀芯片手冊可以知道，柵極驅(qū)動電流公式如下圖。
Fsw為開關(guān)頻率，Qg為mos管柵極充滿所需電荷。MOS管以BSC109N10NS3為例 ，查看該mos管芯片手冊，可以知道Qg為50nC左右。通過上面公式計算Igate = 25mA。但是問題來了，如下圖：
INTVcc的電流驅(qū)動能力為23mA，也就是說開關(guān)頻率大概超過500K后，就無法正常驅(qū)動這個MOS管了，但是把開關(guān)頻率改到900K后，電路從表面上運行正常。為了一探究竟，測試一下MOS管的驅(qū)動波形。
波形大致看起來問題不大，放大波形，可以看到柵極電壓上升過程中有振鈴，這個其實是MOS管的彌勒效應(yīng)引起的震蕩。這個震蕩無疑加大了MOS管的開關(guān)損耗。這個震蕩問題其實從側(cè)面也反應(yīng)了這個芯片在Qg = 50nC，開關(guān)頻率 = 900KHz情況下，驅(qū)動能力不足的問題。
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